суббота, 1 августа 2015 г.

Революционный прорыв в энергонезависимой памяти



Intel, совместно с Micron Technology, уже в этом году, совершат революционный прорыв в энергонезависимой памяти Intel и Micron Technology официально представили новую технологию энергонезависимой памяти 3D XPoint, которая совершит переворот на рынке вычислительных устройств. 3D XPoint способна увеличить (до 1300 раз) скорость работы устройств различного типа, приложений и сервисов, которым необходим быстрый доступ к большим объемам данным. Впервые за 26 лет память 3D XPoint позволяет создать принципиально новую категорию устройств для хранения данных, сменив технологию NAND.

Эта технология до 1.000 раз быстрее и имеет до 1.000 раз более длительный срок службы по сравнению с памятью NAND. Кроме того, она имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с DRAM памятью.

Особенности технологии 3D XPoint:

Крестообразная структура:

Перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных. Это позволяет добиться высокой скорости работы и высокой плотности.

Многослойность

Помимо расположения в крестообразной структуре, ячейки памяти размещаются в несколько слоев. Изначальная технология позволяет хранить 128 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти. Будущие поколения технологии позволят увеличить количество слоев для масштабирования емкости.

Использование селектора

DRAM память использует тразистор в каждой ячейке памяти, что делает ее большой и дорогой. Доступ и чтение или запись в ячейках памяти 3D XPoint осуществляются путем изменения значения напряжения, направляемого на каждый селектор. Это позволяет отказаться от необходимости использования транзисторов, что увеличивает емкость и снижает стоимость.

Быстродействующие ячейки

Благодаря небольшому размеру ячеек, быстродействующим селекторам, низкой задержке и быстрой записи, ячейки могут переключать состояния быстрее, чем любая другая технология энергонезависимой памяти.

Преимущества 3D XPoint

Технология 3D XPoint объединяет в себе все преимущества технологий производства памяти, доступных на рынке. Она отличается высокой производительностью и плотностью размещения компонентов, низким энергопотреблением и доступной ценой.

Значение задержки жестких дисков и памяти NAND измеряется в микросекундах, а памяти 3D XPoint — в наносекундах (одна миллиардная доля секунды).

Преимущества высокой скорости 3D XPoint смогут повысить комфорт и обычных пользователей при работе с ПК.
Те, кто знает, какого это, ждать 15 часов, пока Autodesk Maya кэширует файл размер в 400 Гб, оценят новый вид энергонезависимой памяти 3D XPoint, способной работать в 1000 раз быстрее обычных SSD с NAND памятью.

Также, в Intel полагают, что новый вид памяти, сделает прорыв в области распознавания паттернов различных нейро сетей, в области хранения и обработки огромного количества данных, в области геномики, и других областях


«Одной из наиболее важных проблем в мире современных вычислительных технологий является длительное время, которое требуется процессору для доступа к данным в системе хранения, — сказал Марк Адамс, президент компании Micron. — Новый класс энергонезависимой памяти представляет собой революционную технологию, которая обеспечивает быстрый доступ к большим объемам данных и позволяет создать принципиально новые области применения»

Архитектура

Инновационная безтранзисторная архитектура создает трехмерную перекрестную структуру, на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет в независимом порядке выполнять адресацию. В результате, данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи.

Первые поставки 3D XPoint 

Пробные поставки продукции на базе технологии 3D XPoint для отдельных заказчиков начнутся уже в этом году. Кроме того, Intel и Micron разрабатывают собственную продукцию на базе этой технологии.




Комментариев нет:

Отправить комментарий